一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法

摘要

本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体以完全去除所述反应腔室内部的含碳有机物，其中该第一清洁气体包括第一含氧气体；向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体以完全去除所述反应腔室内部的金属氧化物；其中所述第二清洁气体包括第一含卤素气体。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。

主权项

一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤（a）：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体；和/或，在所述反应腔室外部将所述第一清洁气体转化为所述第一清洁等离子体，并将所述第一清洁等离子体通入所述反应腔室内部；和/或，向所述反应腔室内部通入所述第一清洁气体，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间；并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以完全去除所述反应腔室内部的含碳有机物并将所述反应腔室内部的金属及其化合物转化为金属氧化物；其中，所述第一清洁气体包括第一含氧气体；执行步骤（b）：向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体；和/或，在所述反应腔室外部将所述第二清洁气体转化为所述第二清洁等离子体，并将所述第二清洁等离子体通入所述反应腔室内部；和/或，向所述反应腔室内部通入所述第二清洁气体，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间；并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以完全去除所述反应腔室内部的金属氧化物；其中所述第二清洁气体包括第一含卤素气体。