肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种肖特基二极管NiCr势垒低温合金的制造方法，所述制造方法的工艺流程为：场氧化、光刻P+、P+注入、P+推结、光刻引线孔、溅射NiCr、NiCr合金、扒NiCr、正面蒸发、金属光刻、金属腐蚀、背面减薄、背面蒸发，其特征在于：NiCr合金条件为150℃，30分钟，N2气氛围。该方法对NiCr合金条件进行了调整，克服了NiCr势垒合金参数难控的问题，从而更加准确的控制肖特基二极管的电参数，解决了肖特基二极管参数波动的问题。

主权项

肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法，所述制造方法的工艺流程为：场氧化——>光刻P+——>P+注入——>P+推结——>光刻引线孔——>溅射NiCr——>NiCr合金——>扒NiCr——>正面蒸发——>金属光刻——>金属腐蚀——>背面减薄——>背面蒸发，其特征在于：NiCr合金条件为150℃，30分钟，N2气氛围。