在非易失性存储器中使用多个升压模式减少程序干扰

摘要

本发明提供一种减少程序干扰的操作非易失性存储系统的方法。在编程非易失性存储装置的同时实施多个升压模式。举例来说，可使用自升压、局部自升压、擦除区域自升压及修正擦除区域自升压。使用一个或一个以上切换标准来确定何时切换到不同升压模式。所述升压模式可用于在正编程选定的NAND串中的存储元件的同时防止未选定的NAND串中的程序干扰。通过切换升压模式，在条件改变时，可使用最佳升压模式。可基于各种标准来切换所述升压模式，例如，编程脉冲数目、编程脉冲振幅、编程遍号、选定的字线的位置、是使用粗略还是精细编程、存储元件是否达到编程条件及/或所述非易失性存储装置的编程循环的数目。

主权项

一种用于操作非易失性存储装置的方法，其包含：编程非易失性存储元件集合中的至少一个存储元件，所述非易失性存储元件集合提供于多个NAND串中，所述多个NAND串与多个字线通信，所述至少一个存储元件在所述多个NAND串中的选定NAND串中并且与所述多个字线中的选定的字线通信；以及在所述编程的第一编程阶段期间，使用第一升压模式将所述多个NAND串中的未选定的NAND串的沟道升压，所述使用第一升压模式包含将电压的第一集合施加到所述多个字线中的未选定的字线，且在所述编程的第二编程阶段期间，在所述第一编程阶段之后，使用第二升压模式将所述多个NAND串中的未选定的NAND串的沟道升压，所述使用第二升压模式包含基于升压模式切换标准而从将电压的所述第一集合施加到所述未选定的字线切换到将电压的第二集合施加到所述未选定的字线，电压的所述第一集合至少部分地不同于电压的所述第二集合。