发明名称 碳化硅单晶生长炉的压力控制系统
摘要 本实用新型涉及半导体生产设备技术领域,公开了一种碳化硅单晶生长炉的压力控制系统,包括生长室、与生长室连通的充气链路、抽气链路和压力控制装置;所述充气链路包括两个充气阀及设于两个充气阀之间的流量计;所述抽气链路包括第一链路、第二链路;所述压力控制装置包括压力传感器、调节机械泵、变频器和控制器,所述调节机械泵通过调节抽气阀与所述生长室连通,所述变频器与调节机械泵连接,所述控制器与变频器及压力传感器连接,用于获取压力传感器的数值并控制变频器的转速。本实用新型能够有效、精确地控制生长炉的压力,为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。
申请公布号 CN202705569U 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201220278684.8 申请日期 2012.06.13
申请人 北京七星华创电子股份有限公司 发明人 黄鸣;丁文革
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/36(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 王莹
主权项 一种碳化硅单晶生长炉的压力控制系统,其特征在于,包括生长室、与生长室连通的充气链路、抽气链路和压力控制装置;所述充气链路包括两个充气阀及设于两个充气阀之间的流量计;所述抽气链路包括由第一抽气阀和第一机械泵组成的第一链路,以及由两个第二抽气阀及设于两个所述第二抽气阀之间的分子泵组成的第二链路;所述压力控制装置包括压力传感器、调节机械泵、变频器和控制器,所述压力传感器用于测量生长室内压力,所述调节机械泵通过调节抽气阀与所述生长室连通,所述变频器与调节机械泵连接,所述控制器与变频器及压力传感器连接,用于获取压力传感器的数值并控制变频器的转速。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层