| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102906881A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201180025311.8 | 申请日期 | 2011.04.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 远藤佑太;佐佐木俊成;野田耕生;佐藤瑞穗 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：配置为通过加热放出氧的绝缘层；在所述绝缘层上并且与所述绝缘层接触的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上并且电连接到所述氧化物半导体层的源电极及漏电极；所述源电极及所述漏电极上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极，其中所述栅极绝缘层的一部分与所述氧化物半导体层接触；以及 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||