| 发明名称 | 一种发光二极管的外延片以及发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管的外延片以及发光二极管，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与量子垒层相互交替生长的量子阱层，p型层直接设于多量子阱层上，多量子阱层中的靠近p型层的三个量子垒层中的至少一个为AlxInyGa1-x-yN层，其中，0<x<0.5,0<y<0.5。本发明通过将多量子阱层中的靠近p型层的三个量子垒层中的至少一个设为AlxInyGa1-x-yN层，能有效提高势垒高度，提高了电子的限制能力，防止了电子溢流；并且通过将p型层直接设于多量子阱层上，即本发明的外延片中不包括电子阻挡层，避免了电子阻挡层对于多量子阱层的极化作用，提高了空穴的注入效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102903807A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210384250.0 | 申请日期 | 2012.10.10 |
| 申请人 | 华灿光电股份有限公司 | 发明人 | 王明军;魏世祯;胡加辉 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 徐立 |
| 主权项 | 一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，所述p型层直接设于所述多量子阱层上，所述多量子阱层中的靠近所述p型层的三个所述量子垒层中的至少一个为AlxInyGa1‑x‑yN层，其中，0<x<0.5,0<y<0.5。 | ||
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||