MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，通过顶部低于所述栅氧化层底部的侧墙来抑制后续轻掺杂源/漏区(LDD)离子注入后的径向扩散，控制形成的轻掺杂源/漏(LDD)延伸区的深度，以使获得的超浅结更浅，减小短沟道效应，降低结电容；进一步的，通过应变硅层和锗硅层增大电荷迁移率，降低结电容和结漏电。

主权项

一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的多晶硅层；氧化所述栅极结构的侧壁以形成氧化壁；以所述栅极结构及氧化壁为掩膜，去除部分所述半导体衬底；再氧化保留的半导体衬底的上表面以形成表面氧化层；刻蚀所述表面氧化层以在栅极结构及氧化壁下方保留的半导体衬底两侧形成侧墙，所述侧墙的顶部低于所述栅氧化层的底部；在所述半导体衬底上形成硅外延层，并平坦化所述硅外延层的顶部至所述栅氧化层的底部；以所述栅极结构及氧化壁为掩膜，在所述硅外延层中进行轻掺杂源/漏区离子注入以形成超浅结。