| 主权项 |
1.一种制造一多结晶半导体薄膜之方法,所包括之步骤为:将一层非结晶半导体薄膜沈积在一基质上;藉将光线照射予以相互分离并具有一段大致相同距离之多处该非结晶半导体薄膜区将该非结晶半导体薄膜施以部分结晶化;以及藉一种化合物气体之热分解将一道多结晶层生成在结晶化区与非结晶区之一整个表面上,同时并保持该等个别结晶化区之温度高于该等个别非结晶区之温度;藉将一红外线照射该结晶化区与该非结晶区之整个表面来保持该等个别结晶化区之温度高于该等个别非结晶区之温度;藉保持该等个别结晶化区之温度高于该化合物气体之一热分解温度。2.根据申请专利范围第1项所述制造一多结晶半导体薄膜之方法,其中系将该非结晶半导体薄膜藉一红外线之照射施以部分结晶化的。3.根据申请专利范围第1项所述制造一多结晶半导体薄膜之方法,其中系将该非结晶体半导体薄膜藉一可见光线之照射施以部分结晶化的。4.根据申请专利范围第1项所述制造一多结晶半导体薄膜之方法,系藉将一能量波束照射该等结晶化区来保持该等个别结晶化区之温度高于该等个别非结晶区之温度。5.根据申请专利范围第1项所述制造一多结晶半导体薄膜之方法,其中该半导体薄膜系由矽制成。6.根据申请专利范围第1项所述制造一多结晶半导体薄膜之方法,其中该化合物气体由矽烷制成。图示简单说明:第一(a)图至第一(e)图为依次表示根据本发明之一具体实例制造一多结晶矽薄膜之步骤的断面图。第二图为表示用以制造一多结晶矽薄膜之一种传统式装置之一断面图。 |
