| 主权项 |
1.一种对覆盖于一晶片表面的光阻层做温度处理的一晶片温度处理装置,该晶片温度处理装置至少包含:一处理室(base chamber),该处理室系用于容纳该晶片温度处理装置的组成元件;一温度控制装置,该温度控制装置位于该处理室内,该温度控制装置系用于产生一温度差于该晶片表面的光阻层上;以及一晶片固定装置,该晶片固定装置位于该处理室内,该晶片固定装置系用于将该晶片放置于该晶片固定装置上,该晶片不会因重力影响而与该晶片固定装置做相对移动。2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之温度差使得该晶片表面的光阻层温度升高。3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之温度差使得该晶片表面的光阻层温度降低。4.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之温度控制装置为下列其中之一:一加热灯、一热气流源、一室温气流源以及一热平板。5.如申请专利范围第4项之装置,其中上述之加热灯为紫外线灯(Ultra-VioletIight)。6.如申请专利范围第4项之装置,其中上述之加热灯为红外线灯(Infrared ray)。7.如申请专利范围第4项之装置,其中上述之热气流源为一发出经加热之氮气的气流源。8.如申请专利范围第4项之装置,其中上述之热平板为一发热之金属板。9.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之室温气流源为一发出室温氮气的气流源。10.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之晶片固定装置系一支撑物,用于将该晶片水平地置于该支撑物上。11.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之晶片固定装置系一真空吸附装置,用于利用大气压力将该晶片固定于该真空吸附装置上,使得该晶片不会因重力影响而与该晶片固定装置做相对移动。12.一种对覆盖于一晶片表面的光阻层做温度处理的一晶片温度处理装置,该晶片温度处理装置至少包含:一升温装置,系用于升高该晶片表面的光阻层的温度;一降温装置,系用于降低该晶片表面的光阻层的温度;以及一晶片固定装置,系用于将该晶片放置于该晶片固定装置上,该晶片不会因重力影响而与该晶片固定装置故相对移动。13.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之温度控制装置为下列其中之一:一加热灯、一热气流源以及一热平板。14.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之降温装置为一室温气流源。15.如申请专利范围第13项之装置,其中上述之加热灯为紫外线灯(Ultra-Violetray)。16.如申请专利范围第13项之装置,其中上述之加热灯为红外线灯(Infrared ray)。17.如申请专利范围第13项之装置,其中上述之热气流源为一发出经加热之氮气的气流源。18.如申请专利范围第13项之装置,其中上述之热平板为一发热之金属板。19.如申请专利范围第14项之装置,其中上述之室温气流源为一发出室温氮气的气流源。20.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之晶片固定装置系一支撑物,用于将该晶片水平地置于该支撑物上。21.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之晶片固定装置系一真空吸附装置,用于利用大气压力将该晶片固定于该真空吸附装置上,使得该晶片不会因重力影响而与该晶片固定装置做相对移动。图示简单说明:第一A图为传统的晶片烘烤装置之第一种实施方式的示意图。第一B图为传统的晶片烘烤装置之第二种实施方式的示意图。第二图为本发明的第一种使用方法的结构示意图。第三图为本发明的第二种使用方法的结构示意图。 |
