| 摘要 |
1. Устройство интегральной схемы (IC), содержащее:подложку, имеющую расположенные напротив первую и вторую главные стороны и один или более краев, задающих внешнюю периферию подложки, причем подложка содержит полупроводниковый материал;один или более преобразователей, расположенных на первой главной стороне подложки; ишаблон ослабления, сформированный в, по меньшей мере, одной из второй главной стороны и одного или более краев подложки.2. IC-устройство по п.1, в котором шаблон ослабления содержит пазы, которые формируются на второй главной стороне подложки.3. IC-устройство по п.1, в котором шаблон ослабления содержит одно или более из желобка, круга и пилообразного шаблона, сформированного в, по меньшей мере, одном из одного или более краев подложки.4. IC-устройство по п.1, в котором шаблон ослабления содержит матрицу канавок, задающих мезаструктуры на второй главной стороне подложки.5. IC-устройство по п.4, в котором интервал между смежными канавками или мезаструктурами варьируется.6. IC-устройство по п.1, в котором подложка содержит расположенные напротив непараллельные и несмежные стороны.7. IC-устройство по п.1, дополнительно содержащее материал ослабления, присоединенный к, по меньшей мере, одному из одного или более краев, при этом материал ослабления содержит полимер.8. IC-устройство по п.1, дополнительно содержащее акустическую подложку, расположенную между первой главной стороной подложки и одним или более преобразователей.9. IC-устройство по п.1, в котором шаблон ослабления содержит пазы, которые формируются во второй главной стороне подложки, причем IC-устройство дополнительно содержит пластину, сформированную из полу� |
