| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif semi-conducteur d'émission d'électrons dans le vide comportant un empilement de q couches semiconductrices (10, 20, 30, 40, 50), q étant un nombre supérieure à 2, de type N et P selon la séquence N/(P)/N formant une juxtaposition de deux jonction en tête-bêche, les couche semi-conductrices étant réalisées en matériaux semi-conducteurs appartenant à la famille des III-N, deux couches adjacente de l'empilement formant une interface. Les matériaux semi-conducteurs des couches de l'empilement proches du vide, où les électrons atteignent une énergie élevée, ont une largeur de bande interdite Eg dont la valeur satisfait l'inégalité suivante : Eg > c/2, où c est l'affinité électronique du matériau semi-conducteur, la couche semi-conductrice de type P étant obtenue partiellement ou en totalité, soit par dopage en impuretés de type accepteur, soit par effet piézoélectrique de façon à faire apparaître une charge fixe négative (σ-) dans l'une quelconque des interfaces entre les couches de l'empilement, un potentiel de polarisation positif appliqué à l'empilement de couches semi-conductrices fournissant, à une fraction des électrons circulant dans ledit empilement, l'énergie nécessaire à leur émission dans le vide par une zone émissive d'une couche de sortie L5 (50). Applications : cathodes froides pour tubes électroniques</p> |
