| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容之制造方法,包括下列步骤:形成一电晶体于一半导体基底上,该电晶体之一闸极电极之测壁上覆盖有一第一间隙壁;形成一第一氧化层覆盖该电晶体,该第一氧化层上形成有一第一接触窗口,暴露出该电晶体之一源极区;形成一位元线填入该第一接触窗口中,并且连接该电晶体之该源极区;形成一第二氧化层覆盖该位元线与该第一氧化层;形成一氮化矽层覆盖该第二氧化层;形成一第三氧化层覆盖该氮化矽层;定义该第三氧化层与该氮化矽层,藉以形成一开口暴露出该第二氧化层;形成一第二间隙壁覆盖该开口之侧壁;形成一多晶矽间隙壁覆盖该第二间隙壁之外侧,该第三间隙壁暴露出该开口中的该第二氧化层;上一光阻,暴露出部份之该第三氧化层;蚀刻暴露出之该第三氧化层直至大约暴露出该氮化矽层,并且去除该第二间隙壁,以及蚀刻该开口中暴露出之该第二氧化层与该第一氧化层,藉以形成一第二接触窗口,大约暴露出该电晶体之一汲极区;去除该光阻;形成一多晶矽层填入该第二接触窗口中,接触该电晶体之该汲极区,并且覆盖该多晶矽间隙壁、该氮化矽层与该第三氧化层;去除覆盖该第三氧化层的该多晶矽层,直至大约暴露出该第三氧化层,藉以使得该多晶矽层与该多晶矽间隙壁形成一下电极;进一步去除暴露出之该第三氧化层,直至大约暴露出该氮化矽层;形成一介电层覆盖该下电极;以及形成一上电极覆盖该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该位元线的方法,包括低压化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该第一氧化层的方法,包括常压化学气相沈积法。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该第二氧化层的方法,包括常压化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该第三氧化层的方法,包括电浆化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该氮化矽层的方法,包括电浆化学气相沈积法。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该第二接触窗口的步骤中,包括使用对氧化物/氮化矽/多晶矽具有适当蚀刻速率比的一蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中形成该多晶矽层的方法,包括低压化学气相沈积法。9.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中去除覆盖该第三氧化层之该多晶矽层的方法系为化学机械研磨法。10.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该第一间隙壁的材质系为氮化矽。11.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该位元线的材质系为已掺杂离子之多晶矽。12.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该第二间隙壁的材质系为氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该第三氧化层的材质系为硼磷矽玻璃。14.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该介电层的材质系氧化物/氮化物/氧化物。15.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该介电层的材质系为氧化钽。16.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容的制造方法,其中该上电极的材质系为钛/氮化钛。图式简单说明:第一图系一般动态随机存取记忆体中一记忆单元的电路示意图;第二图系绘示一种习知具平坦型电容之动态随机存取记忆体之剖面图;第三图系绘示一种习知具叠层型电容之动态随机存取记忆体之剖面图;第四图系绘示一种习知具沟槽型电容之动态随机存取记忆体的剖面图;以及第五图A-第五图J系绘示依照本发明之较佳实施例的一种动态随机存取记忆体之电容的制造流程剖面图。 |
