| 主权项 |
1.一种于积体电路中形成电容的方法,该方法至少包含:形成一第一氧化层于一基板上;形成一第一光阻层于该第一氧化层上,以定义一接触窗;以该第一光阻层为遮罩,除去该第一氧化层之部份以形成一沟槽,该沟槽露出该基板之部份;形成一多晶矽层于该第一氧化层之上,并填满位于该第一氧化层内之该沟槽;形成一第二光阻层于该多晶矽层上,以定义一电极区;以该第二光阻层为遮罩除去该多晶矽层之部份,并露出该第一氧化层之部份;形成一半球型颗粒层于该多晶矽层及露出之该第一氧化层之上;蚀刻该半球型颗粒层直到露出部份之该第一氧化层,以形成多数个微沟于该多晶矽层之上层,该多数个微沟系对应于该半球型颗粒层之颗粒间的凹沟;形成一氮化矽层于该多晶矽层及该第一氧化层之上;形成一第二氧化层于该氮化矽层上,以填满该覆有氮化矽之该微沟;非等向性回蚀该第二氧化层,直到露出位于该微沟之间的该氮化矽层,但保留该微沟内的该第二氧化层;除去露出之该氮化矽层以露出部份之该多晶矽层;以该被氮化矽覆盖之微沟为遮罩,非等向性蚀刻该露出部份之多晶矽层,以形成多数个凹槽;除去该第二氧化层;除去该氮化矽层;形成一介电层于该多晶矽层上;及形成一导电层于该介电层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之基板至少包含一金氧半电晶体,系作为一随机存取记忆体之一部份。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之半球型颗粒层系于温度约530-600℃以化学气相沈积制程所形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层厚约100-900埃。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之微沟宽约100-1000挨。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述微沟之间定义一垂直手指状分支,该分支宽约500挨。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少包含一氧化层/氮化层/氧化层结构。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述半球型颗粒层于蚀刻后形成一半球型颗粒侧隙间壁。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之氮化矽层及该第二氧化层系形成于该半球型颗粒侧隙间壁上。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述第二氧化层于蚀刻后形成一氧化侧隙间壁。11.一种于积体电路中形成电容的方法,该方法至少包含:形成一第一氧化层于一基板上;形成一第一光阻层于该第一氧化层上,以定义一接触窗;以该第一光阻层为遮罩,除去该第一氧化层之部份以形成一沟槽,该沟槽露出该基板之部份;形成一多晶矽层于该第一氧化层之上,并填满位于该第一氧化层内之该沟槽;形成一第二光阻层于该多晶矽层上,以定义一电极区;以该第二光阻层为遮罩除去该多晶矽层之部份,并露出该第一氧化层之部份;形成一半球型颗粒层于该多晶矽层及露出之该第一氧化层之上;蚀刻该半球型颗粒层直到露出部份之该第一氧化层,以形成多数个微沟于该多晶矽层之上层,该多数个微沟系对应于该半球型颗粒层之颗粒间的凹沟,并形成一半球型颗粒侧隙间壁;形成一氮化矽层于该多晶矽层、该半球型颗粒侧隙间壁及该第一氧化层之上;形成一第二氧化层于该氮化矽层上,以填满该覆有氮化矽之该微沟;非等向性回蚀该第二氧化层,直到露出位于该微沟之间的该氮化矽层,但保留该微沟内的该第二氧化层;除去露出之该氮化矽层以露出部份之该多晶矽层;以该被氮化矽覆盖之微沟为遮罩,非等向性蚀刻该露出部份之多晶矽层,以形成多数个凹槽;除去该第二氧化层;除去该氮化矽层;形成一介电层于该多晶矽层上;及形成一导电层于该介电层上。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之基板至少包含一金氧半电晶体,系作为一随机存取记忆体之一部份。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之半球型颗粒层系于温度约530-600℃以化学气相沈积制程所形成。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之氮化矽层厚约100-900埃。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之微沟宽约100-1000埃。16.如申请专利范围第11项之方法,其中上述微沟之间定义一垂直手指状分支,该分支宽约500埃。17.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之介电层至少包含一氧化层/氮化层/氧化层结构。图式简单说明:第一图显示记忆体系统之示意图。第二图A显示一随机存取记忆体体之电路符号。第二图B显示一传统随机存取记忆体体之剖面示意图。第三图显示传统以半球型颗粒结构所形成之随机存取记忆体体的剖面示意图。第四图至第十三图显示本发明实施例于形成随机存取记忆体体电容之各步骤的剖面示意图。 |
