| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一第一型基底,在该基底上至少包括一金氧半元件区域,包括一闸极区、一淡掺杂源极/汲极区与一隔离区;(b)在该基底表面沈积一第一绝缘层;(c)再接着以非等向性过度回蚀刻去除该第一绝缘层,在该闸极区侧壁形成间隙壁,同时去除部份该隔离区;(d)以该间隙壁与该闸极区为罩幕,对该元件区域进行第二型倾斜一角度离子植入,在该闸极区两侧之该基底中形成复数个源极/汲极区;(e)在上述各层表面形成一金属层;(f)以快速热制程使该金属层与该闸极区与该些源极/汲极区表面之矽反应形成一金属矽化物,之后以选择性蚀刻去除未反应的该金属层;(g)在表面依序形成一第二绝缘层与一介电层;(h)定义该介电层之图案并以该第二绝缘层为终止层,形成复数个宽边界式接触窗;以及(i)再经由该些宽边界式接触窗将该第二绝缘层去除,露出该金属矽化物,完成本发明一种自行对准金属矽化物的制造方法。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一型为P型,该第二型为N型。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一型为N型,该第二型为P型。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(a)中之该隔离区系为浅沟槽隔离。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(a)中之该隔离区系为场氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一绝缘层系为氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一绝缘层系为氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该金属层为钛金属。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(h)中之该第二绝缘层为氮化矽层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(h)中之该介电层为氧化矽层。图式简单说明:第一图A-第一图E是习知一种自行对准金属矽化物的制造方法;以及第二图A-第二图F是依照本发明一较佳实施例,一种自行对准金属矽化物的制造方法。 |
