| 发明名称 |
GROUP III NITRIDE-BASED LAYER SEQUENCE, COMPONENT, AND PRODUCTION METHOD |
| 摘要 |
<p>Gruppe-lll-Nitrid-basierte Schichtenfolge (100), zumindest umfassend eine AlxGayln1-x-yN-basierte Keimschicht (102) und eine AlxGayln1-x-yN-Schicht (103) auf einem Gruppe-IV-Substrat (101) mit x xGayln1-x-yN-Keimschicht (102) auf dem Substrat (101) angeordnet ist und x > 0.2 gilt.</p> |
| 申请公布号 |
WO2013010533(A1) |
申请公布日期 |
2013.01.24 |
| 申请号 |
WO2012DE00737 |
申请日期 |
2012.07.19 |
| 申请人 |
OTTO-VON-GUERICKE-UNIVERSITAET MAGDEBURG;DADGAR, ARMIN;KROST, ALOIS |
发明人 |
DADGAR, ARMIN;KROST, ALOIS |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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