发明名称 Plasmaimmersions-Ionenimplantation in nicht leitfähiges Substrat
摘要 Die vorliegende Erfindung schafft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Plasmaimmersions-Ionenimplantation in ein elektrisch nicht leitfähiges Substrat (60). Zwischen einer ersten Elektrode (10) und einem metallischen Target (30) wird durch Kathodenzerstäubung desselben ein Plasma erzeugt, das Ionen des Targets enthält. Ein Substrat (60) wird durch eine zwischen ihm und der ersten Elektrode (10) angeordnete zweite Elektrode (20) mit Ionen beschossen, indem negative Hochspannungspulse (51) an die zweite Elektrode (20) bezogen auf die erste Elektrode (10) angelegt werden. In den Pulspausen beschleunigt die positive Ladung implantierter Ionen freie Elektronen aus dem Plasma zu dem Substrat (60) hin und führt einen Ladungsausgleich herbei. Eine auf der zweiten Elektrode (20) angebrachte keramische Beschichtung (22) erschwert die Abscheidung von Targetionen auf derselben, indem sie ebenfalls in den Pulspausen durch das entgegen gerichtete elektrische Feld eine Abstoßung dieser Ionen erleichtert.
申请公布号 DE102011052029(A1) 申请公布日期 2013.01.24
申请号 DE20111052029 申请日期 2011.07.21
申请人 HAUSER, OTTO 发明人 HAUSER, OTTO;FREY, HARTMUT, DR.
分类号 C23C14/48;C03C25/22;C03C25/46;H01J37/317 主分类号 C23C14/48
代理机构 代理人
主权项
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