Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat mit einem Diodenbereich und einem IGBT-Bereich

摘要

Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleitersubstrat, in dem ein Diodenbereich und ein IGBT-Bereich ausgebildet sind, wobei eine untere Oberflächenseite des Halbleitersubstrates einen niedrig dotierten Bereich umfasst, der zwischen einem Kathodenbereich einer zweiten Leitfähigkeitsart des Diodenbereichs und einem Kollektorbereich einer ersten Leitfähigkeitsart des IGBT-Bereichs bereitgestellt ist. Der niedrig dotierte Bereich beinhaltet zumindest einen ersten niedrig dotierten Bereich der ersten Leitfähigkeitsart, der eine geringere Dichte von Dotierstoffen der ersten Leitfähigkeitsart als der Kollektorbereich aufweist, oder einen zweiten niedrig dotierten Bereich der zweiten Leitfähigkeitsart, der eine geringere Dichte der Dotierstoffe der zweiten Leitfähigkeitsart als der Kathodenbereich aufweist.