| 主权项 |
1.一种双重嵌金方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一绝缘层;在该绝缘层上形成一第一光阻层,并定义该第一光阻层的图案;进行紫外线曝光步骤,以该第一光阻层为罩幕,在该绝缘层上照射紫外线,使得部分该绝缘层材质产生变化,形成一绝缘插塞的结构,然后去除该第一光阻层;在该氧化物层上形成一第二光阻层,在对应该绝缘插塞处形成一开口,该开口的宽度较该氧化插塞大;以该第二光阻层为罩幕,去除在该开口中的部分该绝缘层与部分该绝缘插塞,形成一沟渠的结构,然后去除该第二光阻层;去除该绝缘插塞,露出该半导体基底,形成一插塞开口;以及在该绝缘层上形成一金属层,用以填满该沟渠与该插塞开口。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层对紫外线具有感光性。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘插塞与该绝缘层的材质结构不同,该绝缘插塞对氟化氢溶液的湿蚀刻率较该绝缘层对氟化氢溶液的湿蚀刻率大。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层系为旋涂玻璃层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该沟渠的方式为乾蚀刻法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该氧化插塞之方式为湿蚀刻法,且蚀刻剂系为含氟化氢溶液。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括进行研磨步骤,用以研磨多余的该金属层。8.一种双重嵌金方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一氧化物层;进行第一微影步骤,在该氧化物层上形成一第一光阻层,并定义该第一光阻层的图案,露出部分的该氧化物层;进行紫外线曝光步骤,以该第一光阻层为罩幕,在露出之该氧化物层上照射紫外线,使得露出之该氧化物层材质产生变化,而形成一氧化插塞的结构,然后去除该第一光阻层;进行第二微影步骤,在该氧化物层上形成一第二光阻层,并定义该第二光阻层的图案,在对应该氧化插塞处形成一开口,该开口的宽度较该氧化插塞大;以该第二光阻层为罩幕,去除在该开口中的部分该氧化物层与部分该氧化插塞,形成一沟渠的结构,然后去除该第二光阻层;去除该氧化插塞,露出该半导体基底,形成一插塞开口;在该氧化物层上形成一金属层,用以填满该沟渠与该插塞开口;以及进行研磨步骤,研磨多余的该金属层。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氧化物层对紫外线具有感光性。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氧化插塞与该氧化物层的材质结构不同,该氧化插塞对氟化氢溶液的湿蚀刻率较该氧化物层对氟化氢溶液的湿蚀刻率大。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氧化物层系为旋涂玻璃层。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中形成该沟渠的方式为乾蚀刻法。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中去除该氧化插塞之方式为湿蚀刻法,且蚀刻剂系为含氟化氢溶液。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该研磨方式系为化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A到第一图D,其所绘示的为习知一种双重嵌金法之制造步骤的剖面示意图;以及第二图A到第二图E,其所绘示的为根据本发明之一较佳实施例,一种双重嵌金法之制造步骤的剖面示意图。 |
