Verfahren und Teststruktur zur Überwachung von Prozesseigenschaften für die Herstellung eingebetteter Halbleiterlegierungen in Drain/Source-Gebieten

摘要

Verfahren mit: Bilden erster Vertiefungen in einem Transistorbereich einer Halbleiterschicht; Bilden von Testvertiefungen in einem Testgebiet der Halbleiterschicht, wobei die ersten Vertiefungen und die Testvertiefungen in einem gemeinsamen Prozess hergestellt werden; Füllen der ersten Vertiefungen mit einem Halbleitermaterial, während eine erste und eine zweite der Testvertiefungen maskiert sind; und Erhalten elektrischer Messdaten aus dem Testgebiet durch Erzeugen eines Stromflusses durch einen ersten Bereich der Halbleiterschicht, der die erste und die zweite Testvertiefung aufweist, nach dem Füllen der ersten Vertiefungen mit einem Halbleitermaterial, um den gemeinsamen Prozess zu bewerten.