| 发明名称 | 驱动IGBT的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种驱动IGBT的方法，其中通过减小IGBT的栅极-发射极电压的斜率以减小施加在IGBT两端的瞬态电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102891669A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201210252025.1 | 申请日期 | 2012.07.19 |
| 申请人 | LS产电株式会社 | 发明人 | 李京昊;朴海容;房承炫;沈政煜;崔源寯;金敃志 |
| 分类号 | H03K17/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;宋少华 |
| 主权项 | 一种驱动绝缘栅双极晶体管的方法，其被配置为减小在绝缘栅双极晶体管驱动集成电路的关断过程中施加在绝缘栅双极晶体管两端的瞬态电压，所述方法包括：减小绝缘栅双极晶体管的栅极‑发射极电压的斜率以减小绝缘栅双极晶体管两端的瞬态电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||