| 发明名称 | 包括无结的薄膜晶体管的存储器设备 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器设备（200）包括至少一个无结晶体管及一个存储区。无结晶体管是薄膜晶体管（TFT），并且包括有两个维度小于100纳米的无结、重掺杂的半导体沟道（204）。存储器设备可以是NAND快闪存储器或电阻-切换存储器。存储器单元可以在三维上集成。 | ||
| 申请公布号 | CN102893382A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201180024699.X | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 桑迪士克科技股份有限公司 | 发明人 | G.撒玛奇萨;J.奥斯梅尔;A.麦尼亚 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;B82Y10/00(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器设备，包括：至少一个无结晶体管；以及存储区；其中所述无结晶体管包含具有至少两个小于100纳米的维度的无结重掺杂的半导体沟道。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||