| 主权项 |
1.一种MOS电晶体,具有闸电极及电性连接至闸电极之接触区(衬垫),其特征为:接触区可抗电化学腐蚀性;接触区与围绕此接触区之外部表面的高低差最多为200nm;以及围绕此接触区之此种表面设有钝化之覆盖层,此接触区由此一钝化之覆盖层中露出且不设置外部连接用之电性接点或类似物。2.如申请专利范围第1项之MOS电晶体,其中闸极宽度对闸极长度之比大于3。3.如申请专利范围第1或第2项之MOS电晶体,其中接触区表面与闸电极表面区(闸极长度与宽度乘积)之比大于5。4.如申请专利范围第1或第2项之MOS电晶体,其中闸电极、接触区及其间之导电性连接是由多晶矽组成,多晶矽与金属进行矽化,金属包含钛、钽、钨、钴、钼、白金及钯。5.如申请专利范围第3项之MOS电晶体,其中闸电极、接触区及其间之导电性连接是由多晶矽组成,多晶矽与金属进行矽化,金属包含钛、钽、钨、钴、钼、白金及钯。6.如申请专利范围第1或第2项之MOS电晶体,其中闸极电极、接触区及其间之导电性连接设有金属化层,这些金属包含至少选自钨、钛、钽、钴、钼、白金、铱、钯及TiN中者。7.如申请专利范围第3项之MOS电晶体,其中闸极电极、接触区及其间之导电性连接设有金属化层,这些金属包含至少选自钨、钛、钽、钴、钼、白金、铱、钯及TiN中者。8.如申请专利范围第4项之MOS电晶体,其中闸极电极、接触区及其间之导电性连接设有金属化层,这些金属包含至少选自钨、钛、钽、钴、钼、白金、铱、钯及TiN中者。9.如申请专利范围第1项之MOS电晶体,其中覆盖层为厚度在50nm至250nm间之氮化物。图式简单说明:第一图为本发明之一可能之电晶体实例。 |
