| 主权项 |
1.一种在一半导体元件中形成接触窗的方法,该半导体元件具有一下传导层形成在一半导体基底上,该方法包括:在包括该半导体基底的该下传导层上形成一介层绝缘膜;藉由蚀刻该介层绝缘膜,形成一接触窗,以曝露该下传导层的部分;在包括该介层绝缘膜的该接触窗之底部与侧壁上形成一传导薄层;以及在该传导薄层上形成一黏着层,其中该黏着层系藉着化学气相沉积以及物理气相沉积法形成多层黏着层结构。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该传导薄层系钛层、钴层、以及锆层的其中之一。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该传导薄层系由物理气相沉积法所形成。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该传导薄层具有30埃到70埃的一厚度范围。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该黏着层系氮化钛层以及氮化钨层的其中之一。6.如申请专利范围第5项所述的方法,其中形成该黏着层的多层结构的步骤包括:藉由物理气相沉积法在该传导薄层上形成一第一黏着层;藉由化学气相沉积法在该第一黏着层上形成一第二黏着层;以及藉由物理气相沉积法在该第二黏着层上形成一第三黏着层。7.如申请专利范围第6项所述的方法,其中该第一与第二黏着层的晶粒边界系被原生氧化层所填塞。8.如申请专利范围第6项所述的方法,其中每一该黏着层在该接触窗的底部具有20埃到100埃的一厚度范围。9.如申请专利范围第6项所述的方法,更包括:在该第一黏着层上形成一第一扩散阻障层;以及在该第二黏着层上形成一第二扩散阻障层。10.如申请专利范围第9项所述的方法,其中该第一与第二扩散层系氮化矽层。11.如申请专利范围第10项所述的方法,其中该氮化物层系藉由快速热氮化法所形成。12.一种在一半导体元件中形成接触窗的方法,该半导体元件具有一下传导层形成在一半导体基底上,该方法包括:在包括该半导体基底的该下传导层上形成一介层绝缘膜;藉由蚀刻该介层绝缘膜,形成一接触窗,以曝露该下传导层的部分;在包括该介层绝缘膜的该接触窗之底部与侧壁上形成一传导薄层;在该传导薄层上形成一第一黏着层;在该第一黏着层上形成一第二黏着层;以及在该第二黏着层上形成一第三黏着层。13.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该传导薄层系钛层、钴层、以及锆层的其中之一。14.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该传导薄层具有30埃到70埃的一厚度范围。15.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该黏着层系氮化钛层以及氮化钨层的其中之一。16.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该传导薄层、该第一黏着层、以及该第三黏着层系由物理气相沉积法所形成。17.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该第二黏着层系由化学气相沉积法所形成。18.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该第一与第二黏着层的晶粒边界系被原生氧化层所填塞。19.如申请专利范围第12项所述的方法,其中每一该黏着层在该接触窗的底部具有20埃到100埃的一厚度范围。20.如申请专利范围第12项所述的方法,更包括:在该第一黏着层上形成一第一扩散阻障层;以及在该第二黏着层上形成一第二扩散阻障层。21.如申请专利范围第20项所述的方法,其中该第一与第二扩散层系氮化矽层。22.如申请专利范围第21项所述的方法,其中该氮化物层系藉由快速热氮化法所形成。图式简单说明:第一图系根据习知方法绘示倾斜接触窗之外形的剖面示图;第二图系根据习知方法绘示垂直接触窗之外形的剖面示图;第三图系根据习知方法绘示阻障金属层的剖面示图;以及第四图到第六图系根据新方法绘示本发明实施例之阻障金属层的流程图。 |
