发明名称 |
铜基体上直接生长网状碳纳米管的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铜基体上直接生长网状碳纳米管的方法,属于碳纳米材料的制备技术。该方法过程包括:对铜基体进行氩气等离子体预处理,配制Co催化剂溶液,将铜基体在Co催化剂溶液中浸渍、真空干燥,然后将铜基体置于反应炉中通入乙炔、氩气和氢气的混合气体,进行催化裂解反应,在铜基体表面得到一层网状碳纳米管。本发明的优点在于,所制备的网状碳纳米管是在直接在铜片上生长,不需要添加任何阻断层,而且所生成的碳纳米管纯度高,制备工艺简单。 |
申请公布号 |
CN102320591B |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN201110168334.6 |
申请日期 |
2011.06.22 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
刘恩佐;张虎;赵乃勤;师春生;李家俊;康建立 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
天津市杰盈专利代理有限公司 12207 |
代理人 |
王小静 |
主权项 |
一种铜基体上直接生长网状碳纳米管的方法,其特征在于包括以下过程:1)将铜基体进行抛光后,分别用去离子水、丙酮和乙醇超声清洗,然后在温度25‑30℃下干燥,并进行氩气等离子处理0.5‑10min;2)将硝酸钴加入去离子水中,配制0.005‑0.05mol/L硝酸钴水溶液;3)将步骤1)处理的铜基体置入步骤2)的溶液中,浸渍20‑40秒,经真空干燥箱中在80‑100℃下干燥1‑4小时,将其放入石英舟中,在石英反应管的恒温区,在氩气保护下以升温速率10℃/min升至温度200‑400℃,恒温煅烧1‑4小时,得到了负载有催化剂的铜基体;4)将步骤3)所制得的负载有催化剂的铜基体铺展在石英舟中,将石英舟置于石英反应管恒温区,在氩气保护下,以升温速率10℃/min石英反应管升至温度700℃‑850℃后,以流速为250‑300mL/min向石英反应管通入氩气、氢气和乙炔气的混合气进行催化裂解反应0.2h‑1h,其中,氩气、氢气和乙炔气的体积比为(150‑300)∶(10‑100)∶(10‑100),然后在氩气氛围下将炉温降至室温,得到铜基体上生长网状碳纳米管。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |