用于高压端接的带场阈值MOSFET的半导体器件

摘要

一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，所述的半导体衬底含有一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层，并且具有一个有源器件元区和一个边缘端接区。边缘端接区含有多个P-通道MOSFET。当外加电压等于或大于P-通道MOSFET晶体管的阈值电压Vt时，通过将栅极连接到漏极上，形成在边缘端接上的P-通道MOSFET晶体管可以顺序开启，从而优化了每个区域闭锁的电压。

主权项

一种半导体功率器件，其设置在半导体衬底中，包括一个形成在重掺杂层上方的轻掺杂层，并且具有一个有源器件元区和一个边缘端接区，其特征在于，所述的边缘端接区含有多个端接沟槽，形成在所述的轻掺杂层中，内衬电介质层，其中用导电材料填充；以及多个串联的MOSFET晶体管，每个MOSFET晶体管都含有一个沟槽栅极区和设置在每个所述的端接沟槽的两个对边上的一个漏极区和一个源极区，每个所述的端接沟槽中所述的导电材料作为每个所述的MOSFET晶体管的沟槽栅极，其中每个沟槽栅极都电连接到所述的漏极区。