| 发明名称 | 具有局部电流吸收器的存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。 | ||
| 申请公布号 | CN102893336A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201180023083.0 | 申请日期 | 2011.05.10 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 金正丕;哈里·M·拉奥 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C29/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种电子装置，其包括：一个或一个以上写入驱动器；至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线；以及电流吸收器电路，其包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||