| 主权项 |
1.一种用于覆晶(flip-chip)之晶片焊接凸块(bumps)的制造方法,适用于形成有金属导线之积体电路晶片,上述方法包括下列步骤:(a)在上述晶片表面形成一绝缘保护层,其具有一露出上述金属导线之开口部;(b)在上述绝缘保护层表面依序形成一凸块底部金属层、以及一种晶层;(c)去除上述开口部以外的种晶层,直到露出上述凸块底部金属层表面为止,而在上述开口部留下一种晶垫;(d)利用电化学沈积法(ECD)以沿着上述种晶垫成长一焊接凸块;以及(e)去除露出的凸块底部金属层。2.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述金属导线系由铝铜合金构成。3.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述金属导线系由铜金属构成。4.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述绝缘层保护层系氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述凸块底部金属层系利用化学气相沈积法形成的氮化钛或氮化钽层。6.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述种晶层系铜(Cu)种晶层,且上述焊接凸块系由铜金构成。7.如申请专利范围第6项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述种晶层系利用物理气相沈积法形成。8.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述系种晶层系金(Au)种晶层,且上述焊接凸块系由金构成。9.如申请专利范围第8项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中上述种晶层系利用物理气相沈积法形成。10.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中步骤(c)系利用化学机械研磨法去除上述开口部以外的种晶层。11.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中步骤(e)系利用乾蚀刻法或湿蚀刻法去除上述露出之凸块底部金属层。12.如申请专利范围第1项所述之晶片焊接凸块的制造方法,其中步骤(e)之后,更包括一进行焊接凸块再热流处理的步骤。图式简单说明:第一图A~第一图B为覆晶技术之剖面示意图。第二图为传统之晶片焊接凸块的剖面示意图。第三图A~第三图D为根据本发明较佳实施例之晶片焊接凸块的制程剖面示意图。 |
