发明名称 |
串联电容的动态均压电路 |
摘要 |
本实用新型公开一种串联电容的动态均压电路,包括相互并联的电容和稳压二极管;稳压二极管的正极与N沟道MOSFET的源极相连接,并作为第三端子;稳压二极管的负极与N沟道MOSFET的栅极相连接;第二端子通过第一电阻组与稳压二极管的负极相连接,并通过第二电阻组与稳压二极管的正极相连接;第一端子通过第三电阻组与稳压二极管的负极相连接,并通过第四电阻组与N沟道MOSFET的漏极相连接。在串联电容电压差不大时保持高阻抗,降低电阻上消耗的功率;当电容压差变大时电阻变小并入电容端使压差变小,达到动态平衡。可使用小功率SMD电阻,电阻体积小、效率高,多种电容可使用同一种规格设计,可批量生产,降低采购成本。 |
申请公布号 |
CN202694195U |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN201220187534.6 |
申请日期 |
2012.04.28 |
申请人 |
台安科技(无锡)有限公司 |
发明人 |
陈海;施彦红 |
分类号 |
G05F1/46(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/46(2006.01)I |
代理机构 |
无锡华源专利事务所 32228 |
代理人 |
孙力坚 |
主权项 |
一种串联电容的动态均压电路,其特征在于:包括分别与串联电容的正极、串联电容的负极、串联电容的中心点相连接的第一端子(P)、第二端子(N)以及第三端子(Mid),还包括相互并联的电容(C1)和稳压二极管(ZD1);所述稳压二极管(ZD1)的正极与N沟道MOSFET(Q1)的源极相连接,并作为所述第三端子(Mid);所述稳压二极管(ZD1)的负极与N沟道MOSFET(Q1)的栅极相连接;所述第二端子(N)通过第一电阻组(R1~R3)与稳压二极管(ZD1)的负极相连接,并通过第二电阻组(R4~R6)与稳压二极管(ZD1)的正极相连接;所述第一端子(P)通过第三电阻组(R7~R9)与稳压二极管(ZD1)的负极相连接,并通过第四电阻组(R10~R12)与N沟道MOSFET(Q1)的漏极相连接;第一端子(P)和第三端子(Mid)之间的电解电容的内阻抗(R(C2))>第二端子(N)和第三端子(Mid)之间的电解电容的内阻抗(R(C3))// 第二电阻组(R4~R6)的阻值;第二端子(N)和第三端子(Mid)之间的电解电容的内阻抗(R(C3))//第二电阻组(R4~R6)的阻值 > 第一端子(P)和第三端子(Mid)之间的电解电容的内阻抗(R(C2))// 第四电阻组(R10~R12)的阻值;第一电阻组(R1~R3)的阻值 = 第三电阻组(R7~R9)的阻值。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区65-C地块 |