| 主权项 |
1.一种显示装置,主要系,具有,在表面形成萤光体层之第2基板,及互相地面向于上述第2基板,而形成电子线源之第1基板,上述电子线源系具有叠层于第1基板上之第1导电膜-绝缘膜-第2导电膜构造之显示装置中,其特征为:上述绝缘膜乃使用含有具有醇性羟基之有机溶媒,及无机羰酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐及有机羧酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐(但限定于芳族羧酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐或不含有二个以上之醇性羟基之脂肪族多价羧酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐)中所选用之一种溶质之0.1~50重量%非水系化成液,而将上述第1导电膜予以阳极氧化所成之绝缘膜者。2.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中上述具有醇性羟基之有机溶媒系乙二醇或丙二醇者。3.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中上述无机羧酸乃由:硼酸、磷酸、硫酸、钨酸、钼酸、铭酸及钒酸所成之群所选择之一以上之化合物,上述有机羧酸及由:水杨酸、己二酸、壬二酸、苯二甲酸、苯甲酸、-二羟基苯甲酸、马来酸、富马酸、衣康酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、二甲基丙二酸、及顺式甲基丁烯二酸所成之群中选择之一以上之化合物者。4.一种显示装置,主要系,具有:在表面形成萤光体层之第2基板,及互相地面向于上述第2基板,而形成电子线源之第1基板,上述电子线源系具有叠层于第1基板之第1导电膜-绝缘膜-第2导电膜构造之显示装置中,上述绝缘膜乃使用含有由非质子性有机溶媒,及无机羰酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐及有机羧酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐所选用之一种溶质之0.1~50重量%非水系化成液而将上述第1导电膜予以阳极氧化所形成之绝缘膜者。5.如申请专利范围第4项所述之显示装置,其中上述非质子性有机溶媒系由-丁内酯或碳酸丙烯酯者。6.如申请专利范围第4项所述之显示装置,其中上述无机羧酸乃由,硼酸、磷酸、硫酸、钨酸、钼酸、铬酸及钒酸所成之群所选择之一以上之化合物,上述有机羧酸及由:水杨酸、己二酸、壬二酸、苯二甲酸、苯甲酸、-二羟基苯甲酸、马来酸、富马酸、衣康酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、二甲基丙二酸、以及顺式甲基丁烯二酸所成之群中所成之一以上之化合物所成者。7.一种显示装置,主要系,具有:在表面形成萤光体层之第2基板,及互相地面向于上述第2基板,而形成电子线源之第1基板,上述电子线源系具有叠层于第1基板上之第1导电膜-绝缘膜-第2导电膜构造之显示装置中,其特征为:上述绝缘膜乃使用含有,具有醇性羟基之有机溶媒及由非质子性有机溶媒所成之混合溶媒,及由无机羧酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐及有机羧酸之铵盐或1,2,3或4级烷基铵盐中所选出之至少一种溶质之0.1~50重量%非水系化成液,而将上述第1导电膜予以阳极氧化所形成之绝缘膜者。8.如申请专利范围第7项所述之显示装置,其中上述具有醇性羟之溶媒为乙二醇或丙二醇者。9.如申请专利范围第7项所述之显示装置,其中上述非质子性有机溶媒系-丁内酯或碳酸丙烯酯者。10.如申请专利范围第7项所述之显示装置,其中上述无机羧酸乃由:硼酸、磷酸、硫酸、钨酸、钼酸、铬酸及钒酸所成之群所选择之一以上之化合物,上述有机羧酸及由:水杨酸、己二酸、壬二酸、苯二甲酸、苯甲酸、-二羟基苯甲酸、马来酸、富马酸、衣康酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、二甲基丙二酸、及、顺式甲基丁烯二酸所成之群中选择之一以上之化合物者。图式简单说明:第一图表示本发明之实施形态之显示装置之概略构成之展开斜视图。第二图表示第一图所示之下基板(第1基板)之一例之概略构成图。第三图表示第一图所示之上基板(第2基板)之一例之概略构成图。第四图表示将第二图所示之MIN型二极体构造之电子线源元件之阵列状配置状态之模式图。 |
