基于石墨烯沟道的器件及其制造方法

摘要

提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与所述源极接触和漏极接触相接触。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。

主权项

一种半导体器件，包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的互补金属氧化物半导体（CMOS）器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述第一晶片和所述第二晶片通过所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起，其中接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与接到所述石墨烯沟道的所述源极接触和漏极接触相接触，且其中接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。