| 发明名称 | 高屏蔽性能半刚射频电缆 | ||
| 摘要 | 本实用新型专利涉及一种高屏蔽性能半刚射频电缆，其特征在于：包括在镀银铜合金内导体外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层、铜管外导体构成。本实用新型的特点是：在绝缘层外，首先穿过一根铜管，然后经过拉拔，使铜管紧紧包覆在绝缘层外，这样电缆具有较高的屏蔽性能和使用频率。 | ||
| 申请公布号 | CN202695687U | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201220225261.X | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 天津安讯达科技有限公司 | 发明人 | 赵明哲;史卫箭;徐晓茹;赵喜春;孟宪媛;靳堃 |
| 分类号 | H01P3/06(2006.01)I | 主分类号 | H01P3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人 | 胡京生 |
| 主权项 | 一种高屏蔽性能半刚射频电缆，其特征在于：包括在镀银铜合金内导体（1）外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层（2）、铜管外导体（3）构成。 | ||
| 地址 | 300457 天津市塘沽区开发区华泰路71号 | ||