一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法，该制备方法是首先对制绒后的硅片进行重扩散形成p-n结，然后去除非受光面的p-n结或者去除硅片边缘的p-n结，清洗去除硅片表面的氧化层，接着对硅片受光面进行浸润处理增强表面亲水性，再对受光面发射极进行全范围均匀腐蚀形成全范围浅发射极，并对发射极进行表面疏水性处理，然后在硅片受光面沉积功能介质薄膜，最后进行正负电极和背面场制备并烧结形成均匀浅发射极太阳电池。采用本发明方法制备的太阳电池具有制备成本低，转换效率高并适合工业化大规模生产的优点，具有很好的经济效益。

主权项

一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，首先对制绒后的硅片进行重扩散形成p‑n结，然后去除非受光面的p‑n结或者去除硅片边缘的p‑n结，清洗去除硅片表面的氧化层，接着对硅片受光面进行浸润处理增强表面亲水性，再对受光面发射极进行全范围均匀腐蚀形成全范围均匀浅发射极，并对发射极进行表面疏水性处理，然后在硅片受光面沉积功能介质薄膜，最后进行正负电极和背面场制备并烧结形成均匀浅发射极太阳电池。