| 发明名称 | 电阻存储器以及形成电阻存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101459220B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN200810189889.7 | 申请日期 | 2008.09.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李将银;金大谦;郑峻昊;吴世忠;南坰兑;沈贤准 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种电阻存储器，包括：半导体衬底，包括导电图案；绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述绝缘层包括接触孔；下部电极，位于所述接触孔内并与所述导电图案相接触；中间电极，位于所述接触孔内所述下部电极上；可变电阻氧化层，位于所述下部电极和所述中间电极之间；缓冲氧化层，位于所述绝缘层和所述中间电极上；以及上部电极，位于所述缓冲氧化层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||