| 发明名称 | 非线性晶体温度控制装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非线性晶体温度控制装置，涉及固体激光技术领域，包括：热沉、半导体制冷器TEC、非线性晶体基座、非线性晶体夹持件，所述TEC位于热沉和所述非线性晶体基座之间，所述非线性晶体夹持件安装在所述非线性晶体基座上，用于和所述非线性晶体基座配合以夹持非线性晶体。本发明能够对非线性晶体的加热温度进行精确地控制。 | ||
| 申请公布号 | CN102891422A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201110436188.0 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 巩马理;黄磊;柳强;闫平;张海涛 |
| 分类号 | H01S3/04(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I | 主分类号 | H01S3/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种非线性晶体温度控制装置，其特征在于，包括：热沉、半导体制冷器TEC、非线性晶体基座、非线性晶体夹持件，所述TEC位于热沉和所述非线性晶体基座之间，所述非线性晶体夹持件安装在所述非线性晶体基座上，用于和所述非线性晶体基座配合以夹持非线性晶体。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 | ||