| 发明名称 | 富含锗的GST-212相变存储器材料 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge(锗)的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb(锑)的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te(碲)的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。此材料的富含锗族也描述于此。一种包括此材料、适于整合电路的存储器装置也描述于此。该GST-212族的相变存储器材料具有比GST-225相变存储器材料较高的结晶温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102891252A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201210112127.3 | 申请日期 | 2012.04.17 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 | 发明人 | 郑怀瑜;龙翔澜;施彦豪;西蒙·拉梧;马修·J·布雷杜斯克 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||