| 发明名称 | 功率半导体部件、包括其的功率半导体组件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率半导体部件、包括其的功率半导体组件及其操作方法。提供一种功率半导体部件，该功率半导体部件包含半导体主体(1)和两个负载端子(21、22)。此外还提供有电位探针(3)，其设计成对于施加于两个负载端子(21、22)两端的电压(V1-V2)而分出存在于半导体主体(1)的抽头位置(4)处的半导体主体(1)的中间电位(Vz)，所述中间电位是两个负载端子(21、22)的电位(V1、V2)的中间值，但不同于两个负载端子(21、22)的两个电位(V1、V2)中的每一个。 | ||
| 申请公布号 | CN101986428B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201010243175.7 | 申请日期 | 2010.07.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | P·坎沙特 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;G01R1/067(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种以超过30V的电阻断能力为特征的功率半导体部件，包含：‑半导体主体(1)；‑两个负载端子(21、22)；‑电位探针(3)，其被设计成对于施加于两个负载端子(21、22)两端的电压(V1‑V2)而分出存在于半导体主体(1)的抽头位置(4)处的半导体主体(1)的中间电位(Vz)，所述中间电位是两个负载端子(21、22)的电位(V1、V2)的中间值，但不同于两个负载端子(21、22)的两个电位(V1、V2)中的每一个；其中选择抽头位置(4)以便在最大阻断电压施加于所述负载端子(21、22)两端时，电位探针(3)的电位(Vz)与施加到所述负载端子(21、22)的两个电位(V1、V2)中的至少一个相差最大100V。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||