发明名称 |
紫外探测器的像素结构、紫外探测器系统及其制造方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种紫外探测器的单位像素结构,包括紫外探测器和与紫外探测器连接的读出电路,所述读出电路由一个或多个TFT器件组成,所述读出电路的TFT器件的第一有源层以及所述紫外探测器的光电探测层为非晶态氧化物半导体。由于读出电路的器件的有源层以及紫外探测器的光电探测层都为非晶态氧化物半导体,利用非晶态氧化物半导体的高迁移率和优秀的紫外光电响应特性,可以将紫外探测器和读出电路集成在同一个任意平板的衬底上,更为简单高效并且成本低,更加适用于大面积的紫外探测器阵列的像素结构。 |
申请公布号 |
CN102891150A |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN201110206933.2 |
申请日期 |
2011.07.22 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
殷华湘;陈大鹏 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明;王宝筠 |
主权项 |
一种紫外探测器的单位像素结构,包括紫外探测器和与紫外探测器连接的读出电路,其特征在于,所述读出电路由一个或多个TFT器件组成,所述读出电路的TFT器件的第一有源层以及所述紫外探测器的光电探测层为非晶态氧化物半导体。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |