| 发明名称 | 制作浅沟槽隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作浅沟槽隔离结构的方法，包括，形成浅沟槽的步骤；在所述浅沟槽内壁形成黏接层，所述黏接层通过具有高蚀刻/沉积比的高密度等离子体化学气相沉积方法形成；在所述黏接层上形成浅沟槽隔离氧化结构的步骤。所述制作浅沟槽隔离结构的方法能够提高浅沟槽隔离氧化结构和浅沟槽的粘合性，从而避免由于浅沟槽隔离氧化结构与浅沟槽的粘合能力较弱，而较易被后续工艺损坏的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101459109B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN200710094488.9 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘明源;张文广;郑春生 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种制作浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括，形成浅沟槽的步骤；在所述浅沟槽内壁形成第一绝缘层，所述第一绝缘层通过蚀刻/沉积比为0.08‑0.15的高蚀刻/沉积比的高密度等离子体化学气相沉积方法形成；形成覆盖第一绝缘层的黏接层，所述黏接层通过采用功率为6000‑7000W的射频功率源，蚀刻/沉积比为0.08‑0.11的高蚀刻/沉积比的高密度等离子体化学气相沉积方法形成；在所述黏接层上形成浅沟槽隔离氧化结构的步骤，所述形成浅沟槽隔离氧化结构的步骤包括形成覆盖黏接层，并填满浅沟槽的第二绝缘层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||