| 发明名称 | 低温多晶硅基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低温多晶硅基板制作方法，涉及显示技术领域，该方法包括以下步骤：在衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成若干孔洞；在形成孔洞后的所述缓冲层上形成低温多晶硅。本发明还公开了一种低温多晶硅基板。本发明通过在缓冲层上制作一层籽晶绝缘层，在形成低温多晶硅过程中，孔洞中的非晶硅将作为非晶硅层底部的成核晶粒出现，并且具有低的能量，将更容易继续成核并且长大，以形成晶粒大的低温多晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN102891107A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201210402571.9 | 申请日期 | 2012.10.19 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 田雪雁 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成若干孔洞；在形成孔洞后的所述缓冲层上形成低温多晶硅。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||