测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法

摘要

本发明公开了一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长N型硅外延层；(2)在N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充沟槽；(4)将P型硅外延层划分为N层，测定N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和与之相同厚度的N型硅外延层，每去除一层，就测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总-i，直到测到第N层；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。该方法利用并联电阻的测算原理，将整个深沟槽内的外延层分成多层电阻并联，然后分别计算出各层的电阻值，从而能够有效分析出SJ沟槽内外延层掺杂的纵向分布情况。

主权项

一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长一层N型硅外延层；(2)在该N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充该沟槽；其特征在于，还包括以下步骤：(4)将步骤(3)形成的P型硅外延层划分为N层，测定该N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和相同厚度的N型硅外延层，且每去除一层，测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总‑i，直到测到第N层，其中，i为1～N的自然数；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。