| 摘要 |
<p>프로그램과 소거동작시 구동전압을 낮춰주고 스피드를 향상시킬 수 있으며, 소자를 고집적시키기에 알맞은 반도체 메모리소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로써, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체 메모리소자의 제조방법은 반도체기판상에 산화막보다 터널링 장벽 높이가 낮은 터널링절연막을 형성하는 공정, 상기 터널링절연막상에 일라인 방향을 갖는 반도체라인을 형성하는 공정, 상기 반도체라인상에 절연막과 반도체층을 형성하는 공정, 상기 반도체라인과 직교하는 방향의 마스크를 이용해서 상기 반도체층과 상기 절연막과 상기 반도체라인을 식각해서 컨트롤게이트라인와 인터폴리유전막과 플로팅게이트를 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 한다.</p> |
