| 发明名称 | 非晶硅膜的成膜方法及成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。 | ||
| 申请公布号 | CN102891075A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201210251656.1 | 申请日期 | 2012.07.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 柿本明修;高木聪;五十岚一将 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种非晶硅膜的成膜方法，其用于在基底上形成包括非晶硅膜的膜，其特征在于，该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：（1）加热上述基底，向上述加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在上述基底表面上形成晶种层；（2）加热上述基底，向上述加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在上述晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；（3）对形成为上述层成长的厚度的上述非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||