| 发明名称 | 基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，便可以直接用于制造各种器件，提高了器件的电学特性，可靠性，降低了器件制造的复杂性。可以生长出具有半导体洁净度的大面积石墨烯材料，可用于无需转移的大面积石墨烯材料的生长制备，并为碳化硅-石墨烯器件的制造提供材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102891074A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201210408187.X | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 王东;宁静;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，其特征在于，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯直接用于制造各种器件。 | ||
| 地址 | 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||