| 发明名称 | 蚀刻方法、制造微观结构的方法和蚀刻装置 | ||
| 摘要 | 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102102211B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201010591444.9 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝;芝浦机械电子株式会社;氯工程株式会社 | 发明人 | 田家真纪子;速水直哉;佐藤伸良;米仓由里;平林英明;黑川祯明;小林信雄;加藤昌明;土门宏纪 |
| 分类号 | C25B1/30(2006.01)I;C25B1/28(2006.01)I;C25B1/13(2006.01)I;C25B15/02(2006.01)I;C25B15/08(2006.01)I | 主分类号 | C25B1/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其包括：电解硫酸溶液产生氧化性物质，并且控制氧化性物质的生成量，由此产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液；和将所产生的蚀刻溶液供应到工件表面，其中所述氧化剂浓度是0.5mol/L或更低，其中所述硫酸溶液的浓度为20‑70质量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||