| 主权项 |
1.一种使用含颗粒之研浆抛光一构件表面的方法,该方法系包括:辐照一雷射光束于一表面位置,自该处系藉抛光执行所需之选择性大量移除;及抛光,系用该研浆抛光该雷射光束所辐照之该表面位置。2.如申请专利范围第1项之方法,系更进一步包括步骤:扫描,系使该雷射光束扫描该构件表面,即该雷射光束根据在该构件表面上形成之凸块与浸渍形状决定的行经路径扫描该构件表面。3.如申请专利范围第1项之方法,系更进一步包括步骤:沉积一掩膜,该掩膜系对应在该雷射光束路径中需处理之该构件表面上凸块与浸渍形状而形成;辐照该雷射光束,使之通过该需处理之构件表面上的该掩膜;及抛光该表面位置,即抛光该雷射光束通过该掩膜所辐照之位置。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中接近该雷射光束辐照之该表面部份的该研浆中所含颗粒浓度系藉由于该雷射光束之一辐射压力形成的雷射捕获现象而捕获及收集该颗粒于在该雷射光束所辐照部份处的该研浆中使之局部增高。5.如申请专利范围第1.2或3项之方法,系更进一步包括步骤:形成一化学反应层,该层系藉该构件表面与该研浆液体间,该雷射光束辐照部份处之该雷射光束致于该构件表面上的能量所导致化学反应而形成;及移除,系用含颗粒之该研浆抛光该化学反应层。6.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中捕获与收集在该研浆中之颗粒,即藉由于该雷射光束之辐射压力形成的雷射捕获现象捕获与收集在该构件表面上该雷射光束辐照部份之研浆中的颗粒;增加该颗粒在该研浆中之局部浓度,即增加接近该雷射光束辐照部份之该研浆中的该颗粒局部浓度;形成该化学反应层,该层系藉该构件表面与该研浆液体间,该雷射光束辐照部份处之该雷射光束致于该构件表面上的能量所导致化学反应而形成;及移除,系用含颗粒之该研浆抛光该化学反应层。7.如申请专利范围第1.2或3项之方法,系更进一步包括步骤:测量与储存,系于抛光处理之前或之中测量与储存该构件表面上需抛光部份之表面形状;计算,系用测得之数据计算一该雷射光束辐照之位置,一该雷射光束辐照情况及一抛光情况;及完成该雷射光束之辐照及该抛光处理,即该计算结果完成该雷射光束之辐照及该抛光处理。8.一种供抛光一需处理之构件表面的装置,该表面系具有凸块及浸渍抵于欲藉含颗粒之研浆处理的一平面或曲面,该装置系包括:一雷射光学系统,该系统系供投射一雷射光束之辐照用;及一抛光工具系统,该系统系以一轴线方向提供压力及旋转运动;因此,该雷射光束之辐照及该抛光系可同时或连续地于该构件表面之同一位置上藉该雷射光学系统与该抛光工具系统对该构件表面之相对运动完成。9.如申请专利范围第8项之装置,其中一需处理之表面形状系于该抛光处理之前或之中藉该测形装置测量;该测得之形状系储存于一储存装置;该雷射光束辐照之位置,该辐照情况及该抛光情况系用该储存之测量数据计算;及根据逐计算结果,该雷射光学系统系完成该雷射光束辐照或该抛光工具系统系完成该抛光。10.如申请专利范围第8项之装置,其中该掩膜系沉积在该雷射光学系统之光束路径中;及该雷射光束之辐照系根据需通过该掩膜处理之一构件表面上该凸块及浸渍形状作选择性完成。图式简单说明:图1系一说明化学机械抛光处理方法之正视图;图2系在表面上形成导线图案及绝缘薄膜层之一矽晶圆主要部份的放大截面图;图3系说明抛光该矽晶圆薄膜层之主要零件的放大截面图;图4系说明该薄膜层之理想抛光时,该矽晶圆之主要零件的放大截面图;图5系说明该薄膜层之传统抛光时,该矽晶圆之主要零件的放大截面图;图6系一抛光装置正视图;图7系说明雷射光束辐照该矽晶圆上薄膜层情况之放大截面图;及图8系使用掩膜之一雷射光学系统主要零件截面图。 |
