| 主权项 |
1.一种具有积体电路(6)之电子晶片组件,其在半导体晶片(1)之活性表面(3)上具有各接触面(2),各接触面(2)使积体电路(6)连接至外部电路载体(4),其特征为:积体电路(6)各接触面(2)具有一种压合接触材料所构成之接触层(7)且突出于此积体电路(6)之最上方之非导电层(5)之位准之上,半导体晶片(1)之活性表面由一种适应于该接触层高度之可熔合之黏合层(9)所覆盖。2.如申请专利范围第1项之电子晶片组件,其中该外部电路载体(4)是消费品用之安全晶片载体。3.如申请专利范围第1项之电子晶片组件,其中该外部电路载体(4)是一种具有天线功能之晶片载体以便对机动车及/或大厦进行各种介入时之控制。4.如申请专利范围第1项之电子晶片组件,其中该外部电路载体(4)是一种辨认-,记帐-及/或晶片卡用之晶片载体。5.如申请专利范围第1项之电子晶片组件,其中该外部电路载体(4)是一种玩具及/或模型控制用之晶片载体。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子晶片组件,其中介于压合接触面(10)之间之黏合层(9)所具有之厚度(11)较压合接触面(10)上者还大。7.如申请专利范围第1项之电子晶片组件,其中此黏合层(9)在熔合状态时使积体电路(6)之非导电之最上层(5)与电路载体(4)之非导电之表面区(18)相连结,且使压合接触面(10)以及接触连接面(13)未连结至电路载体(4)。8.如申请专利范围第7项之电子晶片组件,其中该压合接触面(10)具有粗糙性。9.如申请专利范围第7项之电子晶片组件,其中该压合接触面(10)之压合接触材料是一种可延展之导电性金属合金。10.如申请专利范围第7项之电子晶片组件,其中压合接触材料是一种抗氧化之金属合金。11.如申请专利范围第7项之电子晶片组件,其中压合接触面(10)之压合接触材料是镍-金-合金。12.如申请专利范围第7项之电子晶片组件,其中压合接触面(10)较积体电路(6)之最上方之非导电层(5)还高出1.5至8m。13.如申请专利范围第1项之电子晶片组件,其中黏合层(9)之厚度至少等于接触层(7)之厚度。14.如申请专利范围第1或7项之电子晶片组件,其中只要黏合材料(15)超过该压合接触面(10)之厚度且定位在压合接触面(10)上,则此黏合材料(15)之一部份即填入此种介于外部电路载体(4)之各接触连接面(13)(在与电子晶片组件(16)接触之后)与外部电路载体(4)之间之中间空间(14)中。15.如申请专利范围第14项之电子晶片组件,其中黏合材料(15)是一种热塑性塑胶。16.一种电子晶片组件(16)之制造方法,其特征为以下各步骤:-选择性地施加一种由压合接触材料所构成之接触层(7)至半导体晶圆(17)(其具有许多积体电路(6))之接触面(2)上以制成已加高之压合接触面(10),-施加一种适应于接触层(7)之高度之可熔合之黏合层(9)至半导体晶圆(17)之表面上,-使半导体晶圆(17)划分成各别之电子晶片组件(16),其具有已划分之积体电路(6)之压合接触面(10)。17.一种电子晶片组件(16)之压合接触面(10)之接触方法,此电子晶片组件(16)是以申请专利范围第16项之方法制成且具有外部电路载体(4),其特征为以下各步骤:-利用各压合接触面(10)使电子晶片组件(16)相对于电路载体(4)之接触连接面(13)而对准,-藉由加热-及加压脉冲使晶片组件(16)压合接触在外部电路载体(4)上。18.如申请专利范围第16项之方法,其中此接触层(7)选择性地藉由无电流之沈积而形成,较佳是以镍-金-合金制成。19.如申请专利范围第16项之方法,其中选择性地藉由大量电解液技术面施加此接触层(7)。20.如申请专利范围第16项之方法,其中选择性地藉由遮罩之使用而施加此接触层。21.如申请专利范围第16项之方法,其中以平面方式涂布此接触层(7),然后藉由遮罩技术选择性地进行电浆蚀刻。22.如申请专利范围第21项之方法,其中藉由溅镀法以平面方式涂布该接触层(7)。23.如申请专利范围第21项之方法,其中藉由蒸镀技术以平面方式涂布该接触层(7)。24.如申请专利范围第21项之方法,其中藉由电浆沈积法以平面方式涂布该接触层(7)。25.如申请专利范围第16项之方法,其中对该黏合层(9)进行积层。26.如申请专利范围第16项之方法,其中对该黏合层(9)进行溅镀。27.如申请专利范围第16项之方法,其中对该黏合层(9)进行离心分离。28.如申请专利范围第16项之方法,其中藉由浸入涂层法而施加该黏合层(9)。29.如申请专利范围第16项之方法,其中藉由形成一种膜所用之介质以顺砌涂层法施加该黏合层(9)。30.如申请专利范围第16项之方法,其中藉由形成一种膜所用之介质以粉末涂层法施加该黏合层(9)。31.如申请专利范围第16项之方法,其中晶片组件(16)在半导体晶圆(17)切割之后存入库存中。32.如申请专利范围第17项之方法,其中晶片组件(16)在半导体晶圆(17)切割之后存入库存中。图式简单说明:第1图 半导体晶圆之部份横切面,其具有许多电子晶片组件所需之积体电路。第2图 在施加晶片组件至外部电路载体之前此电子晶片组件之横切面。第3图 在晶片组件和积体电路之间达成一种压合接触时外部电路载体之横切面,其具有已施加之电子晶片组件。 |
