| 主权项 |
1.一种制造于基片(10)上之肖特基阻障式场效应电晶体,包含:一通道层(1),由第一化合物半导体形成;一源极结构(4),连接到通道层(1)之第一部份;一汲极结构(3),连接到通道层(1)之第二部份,并与源极结构(4)分开,以形成一凹口;一介电层(5),覆盖通道层(1),源极结构(4)之一部份,及汲极结构(3)之一部份,并由在源极结构(4)及汲极结构(3)之间具有一接触孔;及一闸极(7),具有一肖特基接触部份(7a),经由接触孔与通道层(1)接触,及一场板(11),自肖特基接触部份(7a)延伸朝向在介电层(5)上之汲极结构(3),其特征在于:在通道层(1)及场板(11)之间之介电层(5)之厚度系相当于300nm或更厚之二氧化矽层之厚度。2.如申请专利范围第1项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,在肖特基接触部份(7a)及汲极结构(3)之间之距离(Lrgd)在800nm至3000nm之范围内,场板(11)之长度(Lgd)被表示为Legd400nm,其中Lrgd为肖特基接触部份(7a)及汲极结构(3)之间之距离。3.如申请专利范围第2项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,汲极结构包含一由第二化合物半导体形成之汲极接触层(3),而距离(Lrgd)系自肖特基接触部份(7a)及汲极接触层(3)测量而得。4.如申请专利范围第3项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,第一化合物半导体及第二化合物半导体为具有不同掺杂强度之n型砷化镓。5.如申请专利范围第1项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,介电层(5)之厚度等于或小于600nm,且场板(11)之长度(Lgd)为Lrgd400nm,而Lrgd为肖特基接触部份(7a)及汲极结构(3)之间之距离。6.如申请专利范围第5项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,被极结构包含由第二化合物半导体形成之汲极接触层(3),而距离(Lrgd)系自肖特基接触部份(7a)及吸极接触层(3)测量而得。7.如申请专利范围第1项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,介电层(5)系由二氧化矽形成,介电层(5)的厚度在300nm至600nm之范围之内。8.如申请专利范围第7项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,场板(11)之Lrgd400nm表示,而Lrgd为肖特基接触部份(7a)及吸极结构(3)之间之距离。9.如申请专利范围第8项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,距离(Lgd)为肖特基接触部份(7a)及汲极接触部份(3)之间之距离,汲极接触部份(3)与通道层之第二部份接触,并由第二化合物半导体形成。10.如申请专利范围第9项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,第一化合物半导体及第二化合物半导体为具有不同掺杂强度之n型砷化镓。11.如申请专利范围第1项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,场板(11)具有一冠状外形(e)之前端缘部份。12.如申请专利范围第11项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,肖特基接触部份(7a)及汲极结构(3)之间之距离系在800nm至3000nm之范围内,而场板(11)之长度(Lgd)由Lrgd400nm来表示,其中Lrgd当肖特基接触部份(7a)及吸极结构(3)之间之距离。13.如申请专利范围第12项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,汲极结构包含一由第二化合物半导体形成之汲极接触层(3),而距离系自肖特基接触部份(7a)及汲极接触层(3)测量而得。14.如申请专利范围第13项之肖特基阻障式场效应电晶体,其中,第一化合物半导体及第二化合物半导体为具有不同掺杂强度之n型砷化镓。图式简单说明:第1图为显示习知肖特基阻障式场效应电晶体之结构之剖面图;第2图为显示根据本发明之肖特基阻障式场效应电晶体之结构之剖面图;第3A至3E图为显示根据本发明之制造肖特基阻障式场效应电晶体之流程剖面图;第4图显示归一化电容及闸极/源极覆盖距离之间之关系图表;第5图显示失真及一输入信号位准之间之关系图表;第6图显示在回流损失及介电层厚度与闸/源极覆盖距离之组合间之关系图表;第7A图为一剖面图,显示根据本发明之另一肖特基阻障式场效应电晶体之结构;及第7B图为显示并入肖特基阻障式场效应电晶体之层之间之界线平面图。 |
