半导体装置及使用其的电力转换装置

摘要

本发明提供一种低损失、高耐压、输出电压的dV/dt的控制容易且容易制造的IGBT。其具备：第一导电型的第一半导体层；第一半导体层的表面上的第二导电型的第二半导体层；形成在第一半导体层的表面上的沟槽；第一半导体层的表面上的半导体凸部；形成在半导体凸部的表面上的第三半导体层；第三半导体层的表面上的第四半导体层；沿着沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；沿着沟槽的内壁设置的第一层间绝缘层；隔着栅极绝缘层而与第四半导体层对置的第一导电层；第一眉间绝缘层的第二导电层；覆盖第二导电层的表面的第二层间绝缘层；形成在第三半导体层与第四半导体层的表面上且与所述第四半导体层电连接的第三导电层；将第三导电层和第三半导体层连接的触点部；形成在第二半导体层的表面上的第四导电层，半导体凸部的表面的一部分为第一半导体层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；形成在该第一半导体层的一表面上的第二导电型的第二半导体层；形成在所述第一半导体层的与所述第二半导体层相反侧的表面上的沟槽；在所述第一半导体层的剩余的表面上由所述沟槽夹持侧面的半导体凸部；选择性地形成在该半导体凸部的表面上的第二导电型的第三半导体层；选择性地形成在该第三半导体层的表面上，且与所述第一半导体层相比杂质浓度高的第一导电型的第四半导体层；沿着所述沟槽的内壁的一部分设置的栅极绝缘层；沿着所述沟槽的内壁的剩余的区域设置的第一层间绝缘层；至少一部分隔着所述栅极绝缘层而与所述第四半导体层对置的第一导电层；形成在所述第一层间绝缘层的表面上的第二导电层；至少一部分覆盖所述第二导电层的至少一部分的表面的第二层间绝缘层；至少一部分形成在所述第三半导体层与第四半导体层的表面上，且与所述第四半导体层电连接的第三导电层；将所述第三导电层和所述第三半导体层电连接的触点部；形成在所述第二半导体层的表面上的第四导电层，所述半导体凸部的表面的一部分为所述第一半导体层。