发明名称 |
用以制备氧化锌纳米柱阵列场发射组件的方法 |
摘要 |
本发明适用于氧化锌纳米柱制备技术领域,提供了一种用以制备氧化锌纳米柱阵列场发射组件的二段式蚀刻方法。包括:以水热法生成一氧化锌纳米柱;对所述氧化锌纳米柱实施炉管退火;以一酸性相对较低的酸湿式蚀刻所述氧化锌纳米柱的尖端;以及溅射性蚀刻所述氧化锌纳米柱的所述尖端,使所述尖端呈现一角度,所述湿式蚀刻的蚀刻参数可加以调整以得到不同的所述角度。本发明通过二段式蚀刻程序,即结合湿式蚀刻及溅射性蚀刻,可简易控制氧化锌纳米柱的尖端角度,并可大幅提升垂直对准的氧化锌纳米柱发射组件的场发射特性,即大幅降低氧化锌纳米柱阵列场发射组件的启动电场并大幅增加氧化锌纳米柱阵列场发射组件的场增益系数值。 |
申请公布号 |
CN102024637B |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN200910190327.9 |
申请日期 |
2009.09.17 |
申请人 |
深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
曾俊元;姚奕全;颜宏全;林鹏;周明德;莫启能 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
一种用以制备氧化锌纳米柱阵列场发射组件的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:以水热法生成一氧化锌纳米柱;对所述氧化锌纳米柱实施炉管退火;以一酸性相对较低的酸湿式蚀刻所述氧化锌纳米柱的尖端,所述酸性相对较低的酸为稀释醋酸;以及溅射性蚀刻所述氧化锌纳米柱的所述尖端,使所述尖端呈现一角度,所述湿式蚀刻的蚀刻参数可加以调整以得到不同的所述角度。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区光明高新技术产业园区塘明大道9号 |