用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。

主权项

一种形成下层膜的组合物，是用于在半导体器件制造的光刻工序中在被覆光致抗蚀剂前通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子，上述含有硅原子的聚合性化合物(A)是选自式(I)、式(II)所示的有机硅化合物、它们各自的水解物、和它们各自的缩合物中的至少1种的含有硅原子的聚合性化合物(A1)，(R1)a(R3)bSi(R2)4‑(a‑b)    (I)式中，R1表示乙烯基，且R1通过Si‑C键与硅原子结合，R3表示烷基、芳基、卤化烷基、卤化芳基、或者具有巯基、氨基、或者氰基的有机基团，且R3通过Si‑C键与硅原子结合，R2表示卤原子、或者碳原子数分别为1～8的烷氧基、烷氧基烷基或者烷氧基酰基，a为整数1，b为整数0、1或者2，a+b为整数1、2或者3，〔(R4)cSi(R5)3‑c〕2Y       (II)式中，R4表示环氧基、乙烯基或者含有它们的聚合性有机基团，且R4通过Si‑C键与硅原子结合，R5表示烷基、芳基、卤化烷基、卤化芳基、或者具有巯基、氨基、或者氰基的有机基团，且R5通过Si‑C键与硅原子结合，Y表示氧原子、亚甲基或者碳原子数为2～20的亚烷基，c为整数1或者2。